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J-GLOBAL ID：200903062767141077

単結晶成長装置

Inventor： 木藤 泰男 ,  廣瀬 富佐雄 ,  北岡 英二 ,  杉山 尚宏 ,  岡本 篤人
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 伊藤 求馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998229333
Publication number (International publication number)：2000044383
Application date： Jul. 30, 1998
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 成長する単結晶の径方向の成長速度を大きくして、長尺かつ大口径の単結晶を得る。【解決手段】 るつぼ1内に、種結晶となる炭化珪素単結晶基板5を原料の炭化珪素粉末4と対向させて配置する。炭化珪素単結晶基板5と炭化珪素粉末4の間には、炭化珪素単結晶基板5の下方をガス流通可能に取り囲んでその内部に単結晶が成長する空間を形成する熱遮蔽部材6が配設してあり、炭化珪素粉末4の輻射熱から炭化珪素単結晶基板5を保護しつつ、炭化珪素単結晶7が成長できるようにしてある。熱遮蔽部材6は、下方へ向けて径が大きくなるテーパ状で、単結晶成長空間の径が炭化珪素粉末4側ほど大きくなるように構成されており、炭化珪素単結晶7側面近傍の温度勾配の変化を抑制して径方向の成長量を大きくする。

Claim (excerpt)：

容器内に、種結晶と原料粉末とを対向させて配置し、上記種結晶と上記原料粉末との間に熱遮蔽部材を設けて、上記原料粉末が加熱昇華する際の輻射熱から上記種結晶を保護しつつ、該種結晶上に単結晶を成長させる単結晶成長装置において、上記熱遮蔽部材を、上記種結晶をガス流通可能に取り囲んでその内部に単結晶が成長する空間を形成するとともに、該単結晶成長空間の径が上記種結晶側から上記原料粉末側へ向かうにつれて大きくなる形状としたことを特徴とする単結晶成長装置。

IPC (2)：

C30B 23/00 ,  C30B 29/36

FI (2)：

C30B 23/00 ,  C30B 29/36 A

F-Term (5)：

4G051AA01 ,  4G051AA11 ,  4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 化合物半導体の結晶成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-151777   Applicant：シヤープ株式会社
• 単結晶成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-120637   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• SiC単結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-163227   Applicant：三洋電機株式会社