半導体発光素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997011227
Publication number (International publication number)：1998209498
Application date： Jan. 24, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体層の電気抵抗が比較的大きいチッ化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体発光素子においても、チップの面内での電流が均一になり、全体で均一に発光する半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板1と、該基板上に発光層を形成すべくチッ化ガリウム系化合物半導体が積層される半導体積層部10と、該半導体積層部の表面側の第1導電形の半導体層(p形層5)に接続して設けられる第1の電極(p側電極8)と、前記半導体積層部の一部がエッチングにより除去されて露出する第2導電形の半導体層(n形層3)に接続して設けられる第2の電極(n側電極9)とからなり、前記エッチングされずに残存する半導体積層部の第1導電形の半導体層および前記第2の電極の平面形状で対向する部分が等距離になるように前記半導体積層部のエッチング形状および第2の電極形状が形成されている。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に発光層を形成すべくチッ化ガリウム系化合物半導体が積層される半導体積層部と、該半導体積層部の表面側の第1導電形の半導体層に接続して設けられる第1の電極と、前記半導体積層部の一部がエッチングにより除去されて露出する第2導電形の半導体層に接続して設けられる第2の電極とからなり、前記エッチングにより除去されずに残存する半導体積層部の第1導電形の半導体層および前記第2の電極の平面形状で対向する部分が等距離になるように前記半導体積層部のエッチングおよび前記第2の電極の形成がなされてなる半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-234684 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-081948 Applicant：豊田合成株式会社
発光デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-353836 Applicant：日亜化学工業株式会社

Show all

Return to Previous Page