Pat
J-GLOBAL ID：200903056956765103

発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子

Inventor：
福世 文嗣

About 福世 文嗣

, 
福満 憲志

About 福満 憲志

, 
内山 直己

About 内山 直己


Applicant, Patent owner：
浜松ホトニクス株式会社

About 浜松ホトニクス株式会社


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003067250
Publication number (International publication number)：2003338636
Application date： Mar. 12, 2003
Publication date： Nov. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】 積層構造を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することができる発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 基板1の表面3上にIII-V族化合物半導体からなるp型半導体層17a及びn型半導体層17bが積層されたウェハ2に、ウェハ2をチップ状に切断するための切断予定ライン5に沿ってp型半導体層17bから基板1に達する第2の溝27を形成し、第2の溝27に臨む基板1の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射し、基板1の内部に多光子吸収による改質領域7を形成し、この改質領域7によって、基板1のレーザ光L入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、切断起点領域に沿ってウェハ2を切断する工程を備えることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板の表面上にIII-V族化合物半導体からなる半導体層が積層されたウェハに、前記ウェハをチップ状に切断するための切断予定ラインに沿って前記半導体層から前記基板に達する溝を形成し、前記溝に臨む前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記切断起点領域に沿って前記ウェハを切断する工程を備える、発光素子の製造方法。
IPC (5)：
H01L 33/00 ,  B23K 26/00 320 ,  H01S 3/00 ,  H01S 5/02 ,  B23K101:40
FI (5)：
H01L 33/00 A ,  B23K 26/00 320 E ,  H01S 3/00 B ,  H01S 5/02 ,  B23K101:40
F-Term (27)：
4E068AE01 ,  4E068DA10 ,  5F041AA31 ,  5F041AA41 ,  5F041AA42 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F072AB02 ,  5F072JJ08 ,  5F072JJ12 ,  5F072JJ20 ,  5F072PP07 ,  5F072QQ20 ,  5F072RR01 ,  5F072YY06 ,  5F073AA74 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA25 ,  5F073DA31 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)
  • 窒化物半導体素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-328665   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 特開平4-111800
  • レーザ加工方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278663   Applicant：浜松ホトニクス株式会社

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM