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J-GLOBAL ID：200903057099741799

半導体装置

Inventor： 寺崎 健 ,  矢口 昭弘 ,  増田 正親 ,  金本 光一 ,  和田 環 ,  杉山 道昭
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999224914
Publication number (International publication number)：2001053214
Application date： Aug. 09, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】はんだ接合部の熱疲労寿命が向上され、信頼性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】リードの材質に、その線膨張係数が7×10-6/°Cから13×10-6/°Cの範囲にある材質を用いる。このことにより、半導体装置とプリント配線基板の線膨張係数差が小さくなり、温度変化時にリードに加わる熱変形量を大幅に低減できるため、はんだ接合部の熱疲労破壊を大幅に抑制することができる。さらに、封止樹脂の割れや半導体チップの割れも抑制することができる。

Claim (excerpt)：

樹脂封止体と、前記樹脂封止体の内部に位置し、表裏面のうちの表面に外部端子が形成された二つの半導体チップと、前記樹脂封止体の内外に亘って延在するリードとを有し、前記リードは、少なくとも前記樹脂封止体の内部において二つに分岐され、前記一方の分岐リードは、前記一方の半導体チップの表面に固定されると共に、その表面の外部端子に電気的に接続され、前記他方の分岐リードは、 前記他方の半導体チップの表面に固定されると共に、その表面の外部端子に電気的に接続され、前記二つの半導体チップの夫々は、夫々の裏面同志を向い合わせた状態で積層される半導体装置において、前記リードの20°C〜200°Cにおける平均線膨張係数が、Fe-42Ni合金の20°Cから200°Cにおける平均線膨張係数より大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/50 ,  H05K 1/18

FI (2)：

H01L 23/50 W ,  H05K 1/18 B

F-Term (14)：

5E336AA04 ,  5E336BB01 ,  5E336BB16 ,  5E336BC34 ,  5E336CC02 ,  5E336EE03 ,  5E336GG01 ,  5F067AA02 ,  5F067AA06 ,  5F067BE10 ,  5F067CB02 ,  5F067DA05 ,  5F067DA20 ,  5F067DE08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置及びその製造方法並びに電子装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-140878   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-300612   Applicant：ソニー株式会社
• 樹脂封止型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-057646   Applicant：株式会社日立製作所