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J-GLOBAL ID：200903057120784606

フェニルポリシルセスキオキサンの製造方法

Inventor： 木村 良晴
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994285149
Publication number (International publication number)：1996143578
Application date： Nov. 18, 1994
Publication date： Jun. 04, 1996
Summary：

【要約】【構成】フェニルシラントリオールを有機溶媒中で無触媒あるいは触媒の存在下に縮合するか、または縮合することによりプレポリマーを得、該プレポリマーを熱処理することからなる、数平均分子量1,000〜1,000,000、分子量分布2以下のフェニルポリシルセスキオキサンの製造方法。【効果】本発明で得られたフェニルポリシルセスキオキサンは耐熱性材料として有用であり、耐熱塗料、半導体の保護膜、層間絶縁膜、レジスト材料として使用することができる。

Claim (excerpt)：

フェニルシラントリオール(PhSi(OH)3 )を有機溶媒中で無触媒あるいは触媒の存在下に縮合することを特徴とする下記構造式[I]で表される繰り返し単位を有し、数平均分子量が1,000〜1,000,000で分子量分布Mw/Mnが2以下であるフェニルポリシルセスキオキサンの製造方法。【化1】式中、Phはフェニル基を表し、nは正の整数である。

IPC (2)：

C07F 7/08 ,  C08G 77/14 NUG

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• フエニルポリシルセスキオキサンおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-221052   Applicant：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
• 特開平2-107638
  
• 特開昭59-129230