薄膜の製造方法とその製造装置、および薄膜トランジスタとその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大前要
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001106188
Publication number (International publication number)：2002134426
Application date： Apr. 04, 2001
Publication date： May. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】デバイス性能の低下を抑制しつつ製造プロセス温度の低温化及び製造工程数の低減が図れる薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に所定のパターン形状のエネルギー吸収体2を形成する工程と、エネルギー吸収体2上に絶縁層3を形成する工程と、絶縁層3上に半導体薄膜を形成する工程であって、エネルギー吸収体2にエネルギーを付与して該エネルギーをエネルギー吸収体2から熱として放散させることにより絶縁層3を選択的に加熱し、これによりエネルギー吸収体2の上方及びその近傍の領域と、それ以外の領域とで膜質の異なる半導体薄膜を形成する工程と、半導体薄膜をエッチングすることにより、エネルギー吸収体2の上方及びその近傍の領域以外の領域を選択的に除去して、半導体薄膜を所定の形状にパターニングする工程とを有する。

Claim (excerpt)：

基板の上に薄膜を形成する工程であって、前記基板を選択的に加熱することにより、該基板の領域毎に膜質の異なる薄膜を形成する工程と、前記薄膜をエッチングすることにより、該薄膜のうち所定の膜質の部分のみを選択的に除去して、前記薄膜を所定の形状にパターニングする工程とを有することを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/205 , C23C 16/04 , H01L 21/20 , H01L 21/3065 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (7)：

H01L 21/205 , C23C 16/04 , H01L 21/20 , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 626 C , H01L 21/302 J

F-Term (71)：

4K030AA06 , 4K030BA30 , 4K030BA40 , 4K030BB12 , 4K030CA06 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030HA04 , 4K030LA15 , 5F004AA03 , 5F004DA24 , 5F004DB02 , 5F004EA05 , 5F004EA38 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD08 , 5F045AE19 , 5F045BB07 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045DA68 , 5F045EK17 , 5F045HA18 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DA10 , 5F052DB02 , 5F052GB03 , 5F052JA02 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG45 , 5F110HJ13 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110QQ09 , 5F110QQ12 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-243007 Applicant：株式会社日立製作所
化合物半導体の結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-123259 Applicant：松下電工株式会社
特開平2-307221

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