半導体装置およびその作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002342851
Publication number (International publication number)：2004179330
Application date： Nov. 26, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】触媒金属元素を用いて作製した結晶質半導体膜において、結晶化後、不要になった触媒金属元素の膜中含有量を低減する。【解決手段】結晶質半導体膜の上方に触媒金属元素を移動させ、結晶質半導体膜の上方側における触媒金属元素濃度が、下方側における触媒金属元素濃度よりも高い結晶質半導体膜を形成する。そして結晶質半導体膜表面の触媒金属元素と、触媒金属元素の半導体化合物を選択的に除去することにより、結晶質珪素膜中の触媒金属元素濃度を低減する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

結晶質半導体膜中の上方側における触媒金属元素濃度が、下方側における前記触媒金属元素濃度よりも高い濃度勾配をもつ第1の結晶質半導体膜を形成する第1の工程と、前記第1の結晶質半導体膜表面の前記触媒金属元素若しくは前記触媒金属元素の半導体化合物を選択的に除去した第2の結晶質半導体膜を形成する第2の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5)：

H01L21/20 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L27/08 , H01L29/786

FI (7)：

H01L21/20 , H01L21/322 E , H01L27/08 331E , H01L29/78 627G , H01L29/78 627Z , H01L29/78 618Z , H01L29/78 620

F-Term (75)：

5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB03 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BC16 , 5F052AA02 , 5F052AA17 , 5F052AA24 , 5F052BB07 , 5F052CA02 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE23 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体薄膜の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-032872 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
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レーザードーピング処理方法及び薄膜トランジスタの作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-321619 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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