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J-GLOBAL ID：200903057289086886

窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 花岡 大介 ,  湯浅 貴之 ,  古川 勝紀 ,  小河 淳
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999256482
Publication number (International publication number)：2001085735
Application date： Sep. 10, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 III-V族窒化物系化合物半導体装置において、バリア層による活性層への格子歪の影響による光学特性の劣化を抑制し、良好な特性を持つ半導体発光素子を得る。【解決手段】 バリア層による活性層付近での格子歪の分布を適切な状態にするため、バリア層の組成の変化率、層厚を規定することにより、良好な特性を持つ半導体発光素子を得て、上記課題を解決する。

Claim (excerpt)：

III-V族窒化物系化合物半導体を用いて作製された、ダブルへテロ構造を有する窒化物系化合物半導体発光素子において、活性層としてのIn<SB>[x]</SB>Ga<SB>[1</SB>-<SB>x]</SB>N(0≦x≦1)層に接する半導体層がAl<SB>[y]</SB>Ga<SB>[1-y]</SB>N(0≦y≦1)であり、該半導体層の活性層に接する部分でのAl組成をy1、活性層に接する側と反対側の部分でのAl組成をy2とし、前記半導体層の層厚をt[nm]すると、0.1≦y1≦0.5、0≦y2<y1、0<(y1-y2)/t≦0.005であることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

F-Term (20)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA58 ,  5F041CA77 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• GaN系発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-311441   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩, 科学技術振興事業団
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-077811   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-118520   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-142681   Applicant：松下電器産業株式会社