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J-GLOBAL ID：200903038483431425

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
幡 俊雄

About 幡 俊雄


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997118520
Publication number (International publication number)：1998308561
Application date： May. 08, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：
【要約】【課題】 良好な再成長界面を有し、電気的特性及び光学的特性が優れ、信頼性の高い内部電流阻止層を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 MgドープAl0.1Ga0.9Nクラッド層6上に、Mgドープ又はN型In0.95Ga0.05N再蒸発層60を成長させる。そして、2回目の結晶成長工程で、基板温度約400°C以上、N2雰囲気中でMgドープ又はN型In0.95Ga0.05N再蒸発層60、即ち再蒸発層60の内、N型又は高抵抗Al0.05Ga0.95N内部電流阻止層7によって覆われていない部分を蒸発させ、清浄なMgドープAl0.1Ga0.9Nクラッド層6表面を露出17させる。
Claim (excerpt)：
基板及び該基板上に設けられた積層構造体を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、該積層構造体は、活性層と、該活性層を挟む一対のクラッド層と、該一対のクラッド層のうち該基板から遠い方のクラッド層上に部分的に形成された再蒸発層と、該再蒸発層上に形成された内部電流阻止層とを有し、該再蒸発層が該一対のクラッド層のうち該基板から遠い方のクラッド層の表面を清浄化する機能を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (16)
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