半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994156594
Publication number (International publication number)：1995335905
Application date： Jun. 15, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】大面積基板全面にわたって,均一で安定した特性の高性能薄膜トランジスタ素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】基板上に減圧化学気相成長法により作製された非晶質珪素膜を有し,該非晶質珪素膜に結晶化を助長する金属元素を選択的に導入して加熱することにより前記金属元素が選択的に導入された領域の周辺部において,基板表面に平行に結晶成長させた結晶性珪素膜を利用して薄膜トランジスタが設けられている。

Claim (excerpt)：

基板上に減圧化学気相成長法により作製された非晶質珪素膜を有し、該非晶質珪素膜に結晶化を助長する金属元素を選択的に導入して加熱することにより、前記金属元素が選択的に導入された領域の周辺部において、基板表面に平行に結晶成長させた結晶性珪素膜を利用して薄膜トランジスタが設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , C23C 16/24 , H01L 21/20 , H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平2-140915
特開平4-321219
TFTポリシリコン薄膜作成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-068918 Applicant：シャープ株式会社

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