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J-GLOBAL ID：200903057345889695

高結晶品質の合成ダイヤモンド

Inventor： トゥウィッチェン、ダニエル、ジェームズ ,  サマートン、グラント、チャールズ ,  フリエル、イアン ,  ハンセン、ジョン、オラフ ,  ガイ、キース、バリー ,  ガウクロジャー、マイケル、ピーター ,  マーティノー、フィリップ、モーリス ,  バーンズ、ロバート、チャールズ ,  ローソン、シモン、クレイグ ,  アディソン、ティモシー、パトリック、ジェラルド
Applicant, Patent owner： エレメント シックス テクノロジーズ (プロプライアタリー) リミテッド
Agent (4)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  浅野 裕一郎 ,  安藤 克則
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008543937
Publication number (International publication number)：2009518273
Application date： Dec. 08, 2006
Publication date： May. 07, 2009
Summary：

本発明は、X線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥密度が、0.014cm2を超える面積にわたって400/cm2未満である、単結晶CVDダイヤモンド材料に関する。本発明は、更に、基板が、0.014cm2を超える面積にわたって400/cm2未満の、X線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥の密度;0.1mm3を超える容量にわたって1×10-5未満の光学等方性;及び20アーク秒未満の、(004)反射に対するFWHM X線ロッキングカーブ幅の少なくとも1つを有する、その上でCVD単結晶ダイヤモンドを成長させるための基板を選択する工程を含む、前請求項のいずれかに記載のCVD単結晶ダイヤモンド材料の製造方法に関する。

Claim (excerpt)：

X線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥密度が、0.014cm2を超える面積にわたって400/cm2未満である、単結晶CVDダイヤモンド材料。

IPC (4)：

C30B 29/04 ,  C01B 31/06 ,  B01J 23/75 ,  A44C 27/00

FI (4)：

C30B29/04 A ,  C01B31/06 A ,  B01J23/74 311M ,  A44C27/00

F-Term (35)：

3B114JA05 ,  4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB08 ,  4G077AB09 ,  4G077AB10 ,  4G077BA03 ,  4G077DB04 ,  4G077EB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077HA01 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077HA13 ,  4G077HA20 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC02 ,  4G077TK01 ,  4G146AA04 ,  4G146AC11A ,  4G146BA50 ,  4G146BC09 ,  4G146BC11 ,  4G146BC34B ,  4G146BC38B ,  4G146BC44 ,  4G169AA02 ,  4G169BA08A ,  4G169BC66B ,  4G169BC67B ,  4G169CB81

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ホウ素ドーピングされたダイヤモンド
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-553040   Applicant：エレメントシックスリミテッド
• 低欠陥ダイヤモンド単結晶及びその合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-312579   Applicant：住友電気工業株式会社
• n型ダイヤモンド半導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-030186   Applicant：住友電気工業株式会社