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J-GLOBAL ID：200903017410896678

n型ダイヤモンド半導体

Inventor：
難波 暁彦

About 難波 暁彦

, 
今井 貴浩

About 今井 貴浩


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 中野 稔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003030186
Publication number (International publication number)：2003303954
Application date： Feb. 07, 2003
Publication date： Oct. 24, 2003
Summary：
【要約】【課題】 室温から高温までの広い温度範囲で、キャリア濃度や抵抗率の変化が少ないn型ダイヤモンド半導体を得る。【解決手段】 ドープ層とノンドープ層を交互に積層して構成したものであり、(a)単結晶ダイヤモンド基板100と、(b)実質的に不純物が添加されていないダイヤモンド半導体材料から成る薄いノンドープ層1101〜110n+1(nはサイクル数)と、(c)ノンドープ層1101〜110n+1に挟まれるように形成され、n型ダイヤモンド半導体となるように2種類以上の不純物が添加されたダイヤモンド半導体材料から成る非常に薄いドープ層1201〜120nとから構成される。
Claim (excerpt)：
ダイヤモンド半導体材料から成り、(a)実質的に不純物が添加されていない第1のノンドープ層と、(b)前記第1のノンドープ層の一方の表面に形成されたn型半導体となるように2種類以上の不純物が添加されたドープ層と、(c)前記ドープ層の表面に形成された実質的に不純物が添加されていない第2のノンドープ層と、を備えることを特徴とするn型ダイヤモンド半導体。
IPC (4)：
H01L 29/165 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/167
FI (4)：
H01L 29/165 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/167
F-Term (15)：
5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F052DB03 ,  5F052JA07 ,  5F052JA10 ,  5F052KA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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