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J-GLOBAL ID:200903001345881583
ホウ素ドーピングされたダイヤモンド
Inventor:
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
浅村 皓
, 浅村 肇
, 池田 幸弘
, 長沼 暉夫
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2003553040
Publication number (International publication number):2005512928
Application date: Dec. 13, 2002
Publication date: May. 12, 2005
Summary:
CVDにより製造され、ホウ素濃度が均一になっている単結晶ホウ素ドーピングされたダイヤモンド層。この層は、単一の成長部分から形成されているか;又は、100μmを超える厚さを有しているか;又は、1mm3を超える体積を有しているか;又は、そのような諸特徴の組み合せを有している。
Claim (excerpt):
CVDにより造られた、単結晶のホウ素ドーピングされたダイヤモンド層であって、全ホウ素濃度が均一であり、各々の測定点での方位分解能が50μm未満で測定される、大部分の体積の全体に渡る変動が50%未満であり、しかも、前記「大部分の体積」が、前記ダイヤモンド層の全体積の少なくとも70%を表しており、しかも、前記ダイヤモンド層が、次の特徴(i)〜(iii):即ち、
(i) 前記ダイヤモンド層は、単一の成長部分から形成されていること、
(ii) 前記ダイヤモンド層の厚さは、100μmを超えていること、及び
(iii) 前記ダイヤモンド層の体積は、1mm3を超えていること、
の少なくとも1つを有している、上記ダイヤモンド層。
IPC (2):
FI (3):
C30B29/04 X
, C30B29/04 A
, C23C16/27
F-Term (30):
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077AB03
, 4G077AB04
, 4G077BA03
, 4G077DB01
, 4G077EB01
, 4G077EC09
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE03
, 4G077HA01
, 4G077HA05
, 4G077TA04
, 4G077TC02
, 4G077TK01
, 4G077TK06
, 4G077TK10
, 4K030AA07
, 4K030AA09
, 4K030AA18
, 4K030AA20
, 4K030BA28
, 4K030BB02
, 4K030CA01
, 4K030CA12
, 4K030DA04
, 4K030FA10
, 4K030JA10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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特開平2-233591
-
特開平2-233591
-
ダイヤモンド基板のクリーニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-335919
Applicant:住友電気工業株式会社
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