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J-GLOBAL ID：200903057409165980

磁石内でイオンビームを中性化するための方法および装置

Inventor： リーバート、ルーエル・ビー ,  ペーザーセン、ベエルン・オー
Applicant, Patent owner： バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
Agent (2)： 竹内 澄夫 ,  堀 明▲ひこ▼
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004548860
Publication number (International publication number)：2006510165
Application date： Nov. 05, 2003
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【解決手段】イオンビームとともに使用する磁石組立体が提供される。磁石組立体はイオンビームの経路に配置される磁石および電子源を含む。磁石は、イオンビームが通過する磁石間隙を画定する、間隔があけられた第一および第二のポールピースを含む。電子源は、磁石間隙で低エネルギー電子を生成するために、ポールピースの少なくともひとつまたはその近傍に配置される。電子源はたとえば、一次元または二次元の電子エミッターの配列、またはひとつ以上の線形のエミッターを含むことができる。磁石組立体は、磁石間隙でイオンビームの空間電荷膨張を制限するために、イオン注入器において利用することができる。

Claim (excerpt)：

イオン注入器であって、 イオンビームを生成するイオン源と、 イオンビームのイオンを偏向するための、イオンビームの経路に配置される少なくともひとつの磁石であって、イオンビームが通過する磁石間隙を画定するために間隔があけられた第一および第二のポールピースを含む、少なくともひとつの磁石と、 磁石間隙で低エネルギー電子を形成するための、前記ポールピースの少なくともひとつまたはその近傍に配置される電子源と、 イオン注入のためにターゲットを支持する、前記少なくともひとつの磁石の下流に位置する、ターゲットサイトと、 を含み、 イオンビームがターゲットサイトへと送出される、ところのイオン注入器。

IPC (1)：

H01J 37/317

FI (1)：

H01J37/317 Z

F-Term (2)：

5C034CC02 ,  5C034CC17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 小型の高電流幅広ビームのイオン注入装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-066475   Applicant：ダイアモンド・セミコンダクタ・グループ・インコーポレイテッド
• イオンビーム照射装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-366916   Applicant：日新電機株式会社
• イオン注入装置及びイオン注入方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-017926   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-144049
  
• イオン源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-137321   Applicant：日新電機株式会社
• 特開昭61-107648