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J-GLOBAL ID：200903057514622385

窒化物半導体レーザ装置

Inventor：
花岡 大介

About 花岡 大介


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 佐野 静夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001295939
Publication number (International publication number)：2003101113
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：
【要約】【課題】本発明は、レーザ発振寿命の長い窒化物半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】窒化物半導体レーザ素子103をハンダ107で、支持基体となるサブマウント102に固定する際、窒化物半導体基板の熱膨張係数よりも大きな熱膨張係数を有する材料からなるサブマウントを用い、サブマウントの厚さを、n型GaN基板1と窒化物半導体積層部2とで構成される窒化物半導体積層構造の厚さの1.2倍以上とし、n型GaN基板1とサブマウント102との間の金属膜の厚さを1〜50μmとする。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体基板と該窒化物半導体基板の表面上に積層される複数の窒化物半導体層から成る窒化物半導体積層部とを備えた窒化物半導体レーザ素子と、該窒化物半導体レーザ素子を固定する支持基体とを備えた窒化物半導体レーザ装置において、前記支持基体が、熱膨張係数が前記窒化物半導体レーザ素子を構成する窒化物半導体基板の熱膨張係数よりも大きい材質で構成されるとともに、その厚さが前記窒化物半導体基板と前記窒化物半導体積層部とで成る窒化物半導体積層構造部の厚さの1.2倍以上であることを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。
F-Term (11)：
5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28 ,  5F073FA14 ,  5F073FA16 ,  5F073FA22 ,  5F073FA27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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