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J-GLOBAL ID：200903057591598942
化合物半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
釜田 淳爾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998344798
Publication number (International publication number)：2000174378
Application date： Dec. 04, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：
【要約】【課題】 端面での外因的な界面準位密度を長期間にわたって安定に抑制することができ、高出力と長寿命を両立させた高性能な化合物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 第一導電型クラッド層、活性層および第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層を基板上に有し、対向する二つの化合物半導体層の端面が共振器構造を形成している化合物半導体発光素子であって、該化合物半導体層の端面を形成する第一導電型クラッド層、活性層および第二導電型クラッド層の表面が不活性化層で被覆されており、該化合物半導体層の端面を構成する元素の少なくとも1つは酸素との結合を持たず、該不活性化層の化合物半導体層の端面に隣接する部分が酸素を構成元素として含有することを特徴とする化合物半導体発光素子。
Claim (excerpt)：
第一導電型クラッド層、活性層および第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層を基板上に有し、対向する二つの化合物半導体層の端面が共振器構造を形成している化合物半導体発光素子であって、該化合物半導体層の端面を形成する第一導電型クラッド層、活性層および第二導電型クラッド層の表面が不活性化層で被覆されており、該化合物半導体層の端面を構成する元素の少なくとも1つは酸素との結合を持たず、該不活性化層の化合物半導体層の端面に隣接する部分が酸素を構成元素として含有することを特徴とする化合物半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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