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J-GLOBAL ID：200903040867951692

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor：
堀江 秀善

About 堀江 秀善

, 
太田 弘貴

About 太田 弘貴

, 
藤森 俊成

About 藤森 俊成


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997334042
Publication number (International publication number)：1998223978
Application date： Dec. 04, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高出力、長寿命で、無効電流によるロス等の問題のない半導体レーザを、工業的有利に提供する。【解決手段】 半導体基板上に第一導電型クラッド層、量子井戸を含む活性層および第二導電型クラッド層を有する半導体レーザにおいて、共振器を形成する少なくとも一つの端面に25eV以上300eV以下のエネルギーを有するAr、N2等のプラズマを当該端面側から照射してなる半導体レーザ、並びに半導体基板上に第一導電型クラッド層、量子井戸を含む活性層および第二導電型クラッド層を有する半導体レーザの製造方法において、該半導体基板上に該第一導電型クラッド層、量子井戸を含む活性層および第二導電型クラッド層を形成した後、共振器を形成する少なくとも一つの端面に25eV以上300eV以下のエネルギーを有するAr、N2等のプラズマを当該端面側から照射することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に第一導電型クラッド層、量子井戸を含む活性層および第二導電型クラッド層を有する半導体レーザにおいて、共振器を形成する少なくとも一つの端面に25eV以上300eV以下のエネルギーを有するプラズマを当該端面側から照射してなることを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (22)
  • 半導体素子およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-167324   Applicant：三菱化学株式会社
  • 半導体レーザ及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-237023   Applicant：住友電気工業株式会社
  • 半導体レーザ及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-237025   Applicant：住友電気工業株式会社
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