多孔構造体及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：光石俊郎 , 田中康幸 , 松元洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004180686
Publication number (International publication number)：2006005205
Application date： Jun. 18, 2004
Publication date： Jan. 05, 2006
Summary：

【課題】多孔構造体の材料として、様々な材料を適用できる多孔構造体及びその製造方法を提供するにある。【解決手段】基板1上にナノサイズの金属微粒子2をアレイ状に形成し、次いで、該金属微粒子2上に第一の化合物をVLS成長法により選択的に成長させることによりナノワイヤである柱状構造3を形成し、引き続き、前記柱状構造3の高さよりも下まで前記基板上に第二の化合物4を充填した後、前記第一の化合物と前記第二の化合物4の反応性の違いを利用した選択エッチングにより前記第一の化合物である柱状構造3を除去して、微細孔4aをアレイ状に有する構造体5を形成することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に金属微粒子を形成し、次いで、該金属微粒子上に第一の物質をVLS成長法により選択的に成長させることにより柱状構造を形成し、引き続き、前記柱状構造の高さよりも下まで前記基板上に第二の物質を充填した後、前記第一の物質である柱状構造を除去して、微細孔を有する構造体を形成することを特徴とする多孔構造体の製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/06 , B82B 3/00 , C01B 33/12 , C01G 15/00 , H01L 21/205 , H01L 29/205

FI (7)：

H01L29/06 601N , H01L29/06 601D , B82B3/00 , C01B33/12 Z , C01G15/00 , H01L21/205 , H01L29/205

F-Term (15)：

4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072GG03 , 4G072MM40 , 4G072NN11 , 4G072TT08 , 4G072UU30 , 5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB12 , 5F045AB17 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045DA51 , 5F045DB06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

分子エレクトロニクス用に分子を整列させるために1つまたは複数のナノポアを形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-363419 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
微細構造の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-111125 Applicant：松下電器産業株式会社
量子細線または量子箱構造を有する化合物半導体の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-340901 Applicant：日本電信電話株式会社

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Cited by examiner (5)

分子エレクトロニクス用に分子を整列させるために1つまたは複数のナノポアを形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-363419 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
微細構造の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-111125 Applicant：松下電器産業株式会社
量子細線または量子箱構造を有する化合物半導体の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-340901 Applicant：日本電信電話株式会社

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