太陽電池の薄膜組成用インクとその製造方法、これを利用したCIGS薄膜型太陽電池、及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：グローバル・アイピー東京特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008021019
Publication number (International publication number)：2009076842
Application date： Jan. 31, 2008
Publication date： Apr. 09, 2009
Summary：

【課題】太陽電池における光・電変換率の最大化を実現するCIGS薄膜太陽電池において、真空工程や複雑な装備の必要なしに、ナノ粒子インクの印刷工程だけでCIGS薄膜を製造し、CIGS薄膜のCu/(In+Ga)比率及びGa/(In+Ga)比率を自在に調節できるようにする。【解決手段】本発明は、ナノ粒子を含有する太陽電池の薄膜組成用インクとその製造方法、及び前記ナノ粒子を含有するインクを背面電極上に塗布又は印刷して形成した光吸収層を少なくとも1つ以上包含するCIGS薄膜型太陽電池とその製造方法によって本発明の課題を解決する。前記光吸収層は、構成成分としてCu、In、Ga及びSe元素を含有し、これらの元素は、少なくともCu2Seナノ粒子及び(In、Ga)2Se3ナノ粒子を含有するインクを前記背面電極上に塗布又は印刷した後、これを熱処理して形成することを特徴とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

Cu、In、Ga、Se及びSの中のいずれか1つ以上の元素を包含し、Cu2(Se1-xSx)ナノ粒子及び(In、Ga)2(Se1-ySy)3ナノ粒子を含有するインクを背面電極上に塗布又は印刷して形成した光吸収層を少なくとも1つ以上包含することを特徴とするCIGS薄膜型太陽電池。但し、前記ナノ粒子の化学式におけるxとyの範囲はそれぞれ0≦x≦1、0≦y≦1である。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 E

F-Term (6)：

5F051AA10 , 5F051CB13 , 5F051CB24 , 5F051FA14 , 5F051FA15 , 5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜太陽電池の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-220809 Applicant：富士電機株式会社
化合物半導体薄膜とその製造方法及び太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-219580 Applicant：松下電器産業株式会社
太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-057481 Applicant：松下電器産業株式会社

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