トランジスタ構成素子とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野敏雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998165279
Publication number (International publication number)：1999068106
Application date： Jun. 12, 1998
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】高い電流負荷能力及び良好な導通特性を有するトランジスタ構成素子乃至は高い電流負荷能力を有する構成素子の簡単な製造方法を提供することである。【解決手段】上記課題は、裏面側接続部は、強くp-ドープされ拡散領域として形成された領域を介してp-基板に電気的に接続されていること、及び裏面側接続部を装着する前にp-ドープ原子がp-基板の裏面側に拡散注入されることによって解決される。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの絶縁されたゲート電極(13)とp-基板(3)において横方向の及び垂直方向の電流フローとを有するトランジスタ構成素子であって、前記p-基板(3)の表面側にn-領域(4)が配置されており、該n-領域(4)にはまた強くp-ドープされたアノード領域(5)が埋め込まれており、前記垂直方向の電流フローは裏面側接続部(7)を介して行われる、トランジスタ構成素子において、前記裏面側接続部は、強くp-ドープされ拡散領域(8)として形成された領域を介して前記p-基板に電気的に接続されていることを特徴とするトランジスタ構成素子。

IPC (2)：

H01L 29/78 , C30B 31/02

FI (4)：

H01L 29/78 655 Z , C30B 31/02 , H01L 29/78 301 W , H01L 29/78 655 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭62-189758
半導体集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-149076 Applicant：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
特開平1-138759

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