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J-GLOBAL ID：200903057979971637

窓層を備えたAlGaInP発光素子

Inventor： 宇田川 隆 ,  鍋倉 亙 ,  竹内 良一
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999166352
Publication number (International publication number)：2000353820
Application date： Jun. 14, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】高輝度のAlGaInP発光素子を獲得するために必要な透明導電性窓層の構成要件と積層構成を提供する。【解決手段】n形クラッド層を、キャリア濃度を相違する高低両キャリア濃度のn形AlGaInP層から構成し、高キャリア濃度層側に、c軸方向に配向したIII族元素をドープしたn形酸化亜鉛からなる透明導電性窓層を有する構成とする。

Claim (excerpt)：

GaAs単結晶基板上に、それぞれ(Al<SB>α</SB>Ga<SB>1-</SB><SB>α</SB>)<SB>X</SB>In<SB>1-X</SB>P(0≦α≦1、0<X<1)からなるp形クラッド層、発光層、及びn形クラッド層を有し、さらにその上に多結晶体の酸化亜鉛からなる窓層を有することを特徴とする発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/323

FI (3)：

H01L 33/00 B ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/323

F-Term (18)：

5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA41 ,  5F041CA64 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA98 ,  5F041CB36 ,  5F073AB17 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• AlGaInP系発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-216403   Applicant：信越半導体株式会社
• 半導体光電素子に対するZnO膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-130745   Applicant：大同特殊鋼株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-077811   Applicant：松下電器産業株式会社