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J-GLOBAL ID：200903058008154574

窒化物系半導体発光素子

Inventor： 井上 大二朗 ,  野村 康彦 ,  畑 雅幸 ,  狩野 隆司 ,  山口 勤
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 宮園 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003319528
Publication number (International publication number)：2004134772
Application date： Sep. 11, 2003
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：

【課題】コンタクト層での光吸収損失を低減することによって、発光効率を向上させることが可能な窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体発光素子は、サファイア基板1上に形成されたn型コンタクト層4と、n型コンタクト層4上に形成され、窒化物系半導体層からなるMQW活性層5と、MQW活性層5上に形成されたp型クラッド層7と、p型クラッド層7上に形成されたアンドープコンタクト層8と、アンドープコンタクト層8上に形成されたp側電極9とを備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成された第1導電型の第1窒化物系半導体層と、 前記第1窒化物系半導体層上に形成され、窒化物系半導体層からなる活性層と、 前記活性層上に形成された第2導電型の第2窒化物系半導体層と、 前記第2窒化物系半導体層上に形成されたアンドープコンタクト層と、 前記アンドープコンタクト層上に形成された電極とを備えた、窒化物系半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L33/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/323

FI (4)：

H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01S5/042 614 ,  H01S5/323 610

F-Term (28)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB36 ,  5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA44 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-215147   Applicant：富士通株式会社
• III族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-227075   Applicant：昭和電工株式会社
• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-178297   Applicant：豊田合成株式会社