半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柏谷昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998215147
Publication number (International publication number)：1999340580
Application date： Jul. 30, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。【解決手段】活性層4を厚さが3nm以上の単一の利得層で構成すると共に、活性層4とクラッド層2,6との間に光ガイド層3,5を設ける。

Claim (excerpt)：

ナイトライド系化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、活性層を厚さが3nm以上の単一の利得層で構成すると共に、前記活性層とクラッド層との間に光ガイド層を設けることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-027522 Applicant：松下電器産業株式会社
窒化物半導体レーザ素子及びその共振器の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-275220 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-036414 Applicant：富士通株式会社

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