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J-GLOBAL ID:200903058108585971
熱電材料の製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
上野 登
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001129057
Publication number (International publication number):2002026407
Application date: Apr. 26, 2001
Publication date: Jan. 25, 2002
Summary:
【要約】【課題】 結晶配向化により高い熱電特性が得られるばかりでなく、その熱電特性のバラツキも少なく、しかも環境負荷特性にも優れた熱電材料の製造方法を提供すること。【解決手段】 結晶配向材料のテンプレートとなる物質である形状異方性を有する粉末材料と、この粉末材料との反応によって結晶異方性のある導電性化合物を生成する1種または2種以上の物質(アルカリ金属塩のみの場合を除く)とを混合し、この混合材料を前記形状異方性粉末が一方向に配向するように成形し、この成形物を熱処理してエピタキシーまたはトポタキシー反応の利用により導電性化合物が一方向に配向した生成物を得、この生成物を焼結するようにした。さらに、目的物質である結晶異方性のある導電性化合物を酸化物系セラミックスとすることにより環境特性に優れたものも得られる。
Claim (excerpt):
結晶配向材料のテンプレートとなる物質である形状異方性を有する粉末材料と、この形状異方性粉末材料との反応によって結晶異方性のある導電性化合物を生成する1種または2種以上の物質(アルカリ金属塩のみの場合を除く)とを混合し、この混合材料を前記形状異方性粉末が一方向に配向するように成形し、この成形物を熱処理することにより合成し、その後に焼結するようにしたことを特徴とする熱電材料の製造方法。
IPC (7):
H01L 35/34
, B22F 3/02
, C04B 35/44
, C04B 35/45
, C04B 35/453
, C04B 35/50
, H01L 35/22
FI (7):
H01L 35/34
, B22F 3/02 S
, C04B 35/44
, C04B 35/50
, H01L 35/22
, C04B 35/00 P
, C04B 35/00 K
F-Term (26):
4G030AA13
, 4G030AA31
, 4G030AA32
, 4G030AA36
, 4G030BA01
, 4G030CA02
, 4G030GA14
, 4G030GA15
, 4G030GA20
, 4G030GA21
, 4G030GA26
, 4G030GA27
, 4G031AA25
, 4G031AA29
, 4G031BA01
, 4G031CA02
, 4G031GA04
, 4G031GA06
, 4G031GA10
, 4G031GA11
, 4K018AB01
, 4K018BC12
, 4K018CA30
, 4K018CA32
, 4K018CA37
, 4K018KA32
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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熱電変換材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-174642
Applicant:大研化学工業株式会社
-
熱電変換材料及び熱電変換素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-376674
Applicant:東京瓦斯株式会社
-
熱電半導体焼結素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-146222
Applicant:アイシン精機株式会社
-
結晶配向性セラミックス及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-247297
Applicant:株式会社豊田中央研究所
-
結晶配向セラミックス基板及びデバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-062132
Applicant:株式会社豊田中央研究所
-
結晶配向セラミックスの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-124834
Applicant:株式会社豊田中央研究所
-
特開昭63-285159
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