ダマシンコンタクトおよびゲートプロセスで作製された自己整列ソースおよびドレイン延在部

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000616072
Publication number (International publication number)：2002543623
Application date： Feb. 29, 2000
Publication date： Dec. 17, 2002
Summary：

【要約】浅いソースおよびドレイン延在部を有するトランジスタを作製する方法は、自己整列コンタクトを用いる。コンタクト区域とゲート構造との間の開口を通ってドレイン延在部が設けられる。高kゲート誘電材料を用いることができる。開示された方法に従ってP-MOSおよびN-MOSトランジスタを作ることができる。

Claim (excerpt)：

集積回路を作製するためのプロセスであって、 (a) 基板上にマスキングパターンを形成するステップを含み、マスキングパターンは、ゲート領域と第1のコンタクト領域との間の第1の間隔およびゲート領域と第2のコンタクト領域との間の第2の間隔を有し、さらに (b) 第1の間隔の下に浅いソース領域および第2の間隔の下に浅いドレイン領域を形成するステップと、 (c) 第1の間隔および第2の間隔に絶縁材料を堆積するステップと、 (d) ポリシリコンパターンを除去するステップと、 (e) ゲート領域の上にフォトレジストを設けるステップと、 (f) 深いソース領域および深いドレイン領域を形成するステップと、 (g) フォトレジストを除去するステップと、 (h) ゲート領域の上にゲート誘電体およびゲート導体を堆積するステップとを含む、プロセス。

IPC (6)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/336 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/43

FI (7)：

H01L 21/28 301 R , H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D , H01L 27/08 321 E , H01L 29/78 301 P , H01L 29/62 G , H01L 29/46 R

F-Term (96)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104BB19 , 4M104BB21 , 4M104BB24 , 4M104BB30 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD03 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD63 , 4M104DD75 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104DD84 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 5F048AA01 , 5F048AC03 , 5F048BB01 , 5F048BB04 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB13 , 5F048BC01 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG14 , 5F048DA18 , 5F140AA13 , 5F140AA18 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD10 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE10 , 5F140BF10 , 5F140BF15 , 5F140BF21 , 5F140BF27 , 5F140BG04 , 5F140BG30 , 5F140BG36 , 5F140BG40 , 5F140BH15 , 5F140BH33 , 5F140BH36 , 5F140BH49 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140BJ28 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK10 , 5F140BK13 , 5F140BK14 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC10 , 5F140CC12 , 5F140CC16 , 5F140CE06 , 5F140CE07 , 5F140CE08 , 5F140CF04 , 5F140CF05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開昭63-036564
特開昭53-086583
MOS型電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-000306 Applicant：ソニー株式会社

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Cited by examiner (6)

特開昭63-036564
特開昭53-086583
MOS型電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-000306 Applicant：ソニー株式会社

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