半導体発光素子

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996310173
Publication number (International publication number)：1998144961
Application date： Nov. 05, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】単一画素で任意の色度(彩度、色相)の光を発光させ、基板側から光を取り出すこと。【解決手段】基板1上に、異なる色度の光を発光する第1発光層3と第2発光層9とが積層され、第1発光層3は多重量子井戸構造を成している。第1発光層3及び第2発光層9のそれぞれの結晶比を変化させることで禁制帯幅を変化させることができるので、発光のピーク波長を結晶比により変化させることができ、それら発光層3及び9からの発光の合成光の波長強度特性を所望の特性とした。よって、単一画素から任意の色度を有する光を発光させることができる。又、第1発光層3と第2発光層9との間にはバッファ層6が設けられ、このバッファ層6により第1発光層3から電極14側に発光された光が基板1側に反射されるので、基板1側からの光の取り出し効率を高めることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成され、3族窒化物半導体(AlxGa1-x)yIn1-yN(0 ≦x ≦1;0 ≦y ≦1)から成り、所定の色度の光を発光する第1の発光層と、該第1の発光層から発光される光と異なる色度の光を発光し、前記第1の発光層上に積層された第2の発光層とを備え、前記第1及び第2の発光層からそれぞれ発光される光の合成光を所望の波長強度特性とし、前記基板側から前記合成光を取り出したことを特徴とする半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

3族窒化物半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-331485 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
半導体発光素子およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-203219 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203084 Applicant：日本電信電話株式会社

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