プラズマ処理装置および方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (2)：亀谷美明 (外1名) , 亀谷美明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996087615
Publication number (International publication number)：1997199485
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】反応性プラズマ中のラジカルを高精度かつ高速に制御する。【解決手段】本発明によれば、パルス発生装置(5、16)によりパルス変調可能な高周波電界を出力するプラズマ源(4、15)により励起された反応性プラズマにより被処理体(W)を処理するにあたり、反応性プラズマ中の粒子密度および/または組成を赤外吸収分光装置(20)により計測し、計測された粒子密度や組成に応じて、高周波電界をパルス変調して、粒子密度や組成を所定値に制御するので、高精度かつ高速な制御が可能となる。

Claim (excerpt)：

プラズマ生成室においてパルス変調可能な高周波電界により励起された反応性プラズマをプラズマ処理室に導入しそこで被処理体を処理するにあたり、前記プラズマ生成室および/またはプラズマ処理室内に存在するプラズマ中の粒子密度および/または組成を赤外吸収分光法により計測し、計測された粒子密度および/または組成に応じて、前記高周波電界をパルス変調して、前記粒子密度および/または組成を所定値に制御することを特徴とする、プラズマ処理方法。

IPC (7)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , G01N 21/35 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23C 16/52

FI (9)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A , C23F 4/00 E , C23F 4/00 D , G01N 21/35 Z , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23C 16/52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭63-020484
特開平1-149965
ラジカルの制御方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-241487 Applicant：名古屋大学長

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