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J-GLOBAL ID：200903058492169343

窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体装置

Inventor：
寺口 信明

About 寺口 信明


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (3)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003085126
Publication number (International publication number)：2004296636
Application date： Mar. 26, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：
【課題】バッファ層上の窒化物系III-V族化合物半導体の転位密度が小さくて優れた電気的特性を有する窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体装置を提供する。【解決手段】SiC基板41上にAlNからなるバッファ層42を形成し、更に、AlNからなるバッファ層42上にGa層43を堆積させる。この後、Ga層43の表面に、窒素源を照射して、このGa層43を転位が少ないGaN層の下層部44と、この下層部44よりも更に転位の数が少ないGaN層の上層部45に再構築する。最後に、転位の数が少なくて結晶性に優れたGaN層の上層部45にGaN層46を形成する。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
基板上に窒化物系III-V族化合物半導体からなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、 上記バッファ層上にGa層を堆積させるGa堆積工程と、 上記Ga堆積工程で堆積されたGa層の表面に、窒素源を照射してGaN層として結晶化する結晶化工程と、 上記結晶化しているGaN層上に窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる化合物半導体成長工程とを有することを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法。
IPC (7)：
H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343
FI (5)：
H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323 610 ,  H01S5/343 610 ,  H01L29/80 H
F-Term (45)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF01 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045HA15 ,  5F052AA04 ,  5F052AA18 ,  5F052AA22 ,  5F052BA11 ,  5F052CA01 ,  5F052DA04 ,  5F052DB06 ,  5F052EA11 ,  5F052EA13 ,  5F052FA05 ,  5F052FA19 ,  5F052HA01 ,  5F052HA06 ,  5F052JA05 ,  5F052JA07 ,  5F052JA10 ,  5F073CA02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB06 ,  5F073DA06 ,  5F073DA07 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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