III族窒化物薄膜の形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：北村欣一 (外2名) , 北村欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999366723
Publication number (International publication number)：2001185487
Application date： Dec. 24, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】サファイアC面基板上に成長するGaN系III族窒化物薄膜の極性を(0001)に制御することにより、従来よりも光学的、電気的特性に優れた薄膜を提供すること。【解決手段】基板上に、窒素プラズマおよびGaを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりGaN系薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、該薄膜の成長初期もしくは成長中に金属Inを照射して所望のGaN系薄膜を成長させること、または金属Gaもしくは金属Alを該基板上に1〜数原子層堆積させた後、所望の薄膜を成長させること、または該基板上に窒素プラズマを用いてAlN層を成長させた後に所望の薄膜を成長させること、または該基板上にアンモニアを照射して基板上にAlN層を形成させた後、Gaを主成分とする金属およびアンモニアもしくは窒素プラズマを用いて所望の薄膜を成長させること。

Claim (excerpt)：

サファイアC面基板上に、窒素源として窒素プラズマを、またIII族源としてGaを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりGaN系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、該GaN系III族窒化物薄膜の成長初期あるいは成長中に金属Inを照射することにより、成長する膜の極性を(0001)に制御することを特徴とするIII族窒化物薄膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 , C30B 29/38 , H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/203 M , C30B 29/38 D , H01L 33/00 C

F-Term (23)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DA05 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA66 , 5F103AA04 , 5F103AA08 , 5F103AA10 , 5F103DD01 , 5F103GG01 , 5F103HH04 , 5F103HH08 , 5F103KK01 , 5F103KK10 , 5F103NN10 , 5F103PP20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-292320 Applicant：松下電子工業株式会社
III族窒化物半導体膜の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-274399 Applicant：工業技術院長
特開平4-346218

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Improvement of the photoluminescence from gallium nitride layers grown by MBE with an additional inc

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