窒化物含有半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康 , 高橋佳大
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004207409
Publication number (International publication number)：2006032552
Application date： Jul. 14, 2004
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：

【課題】ゲート絶縁膜と半導体層との間に良好な界面が形成され、ゲートリーク電流の小さい窒化物含有半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の実施の一形態に係る窒化物含有半導体装置は、チャネル層として形成されたノンドープの第1の窒化アルミニウムガリウム(AlxGa1-xN(0≦x≦1))層と、第1の窒化アルミニウムガリウム層上にバリア層として形成されたノンドープ又はn型の第2の窒化アルミニウムガリウム(AlyGa1-yN(0≦y≦1,x<y))層と、第2の窒化アルミニウムガリウム層上にゲート絶縁膜下層として形成された窒化アルミニウム(AlN)膜と、窒化アルミニウム膜上にゲート絶縁膜上層として形成された酸化アルミニウム(Al2O3)膜と、第2の窒化アルミニウムガリウム層にそれぞれ電気的に接続されるように第1及び第2の主電極として形成されたソース電極及びドレイン電極と、酸化アルミニウム膜上に制御電極として形成されたゲート電極と、を備えているものである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

チャネル層として形成されたノンドープの第1の窒化アルミニウムガリウム(AlxGa1-xN(0≦x≦1))層と、前記第1の窒化アルミニウムガリウム層上にバリア層として形成されたノンドープ又はn型の第2の窒化アルミニウムガリウム(AlyGa1-yN(0≦y≦1,x<y))層と、前記第2の窒化アルミニウムガリウム層上にゲート絶縁膜下層として形成された窒化アルミニウム(AlN)膜と、前記窒化アルミニウム膜上にゲート絶縁膜上層として形成された酸化アルミニウム(Al2O3)膜と、前記第2の窒化アルミニウムガリウム層にそれぞれ電気的に接続されるように第1及び第2の主電極として形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記酸化アルミニウム膜上に制御電極として形成されたゲート電極と、を備えていることを特徴とする窒化物含有半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 29/06 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/41

FI (6)：

H01L29/78 301G , H01L29/06 301F , H01L29/80 Q , H01L29/80 F , H01L29/78 301B , H01L29/44 Y

F-Term (38)：

4M104AA04 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104FF10 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG12 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 4M104HH18 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GR09 , 5F102GT06 , 5F102GV05 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F140AA19 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB01 , 5F140BB18 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BH12 , 5F140BH13 , 5F140CD09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-056788 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (6)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-056788 Applicant：ソニー株式会社
電界効果トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-288466 Applicant：日本電気株式会社
化合物半導体基板の前処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-024540 Applicant：ソニー株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計

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