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J-GLOBAL ID：200903058519354695

シリコンナノワイヤーの製造方法

Inventor：
上田 和正

About 上田 和正


Applicant, Patent owner：
住友化学株式会社

About 住友化学株式会社


Agent (2)： 中山 亨 ,  坂元 徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008001931
Publication number (International publication number)：2009161404
Application date： Jan. 09, 2008
Publication date： Jul. 23, 2009
Summary：
【課題】高純度のシリコンナノワイヤーを低温で製造する方法を提供する。【解決手段】〔1〕四塩化珪素ガスと不活性ガスとの混合ガスまたは四塩化珪素ガス5を、高温領域3を通って、前記高温領域よりも温度の低い領域(低温領域4)へ流通し、該高温領域3にアルミニウムを供給し、前記高温領域よりも温度の低い領域4においてシリコンナノワイヤーを析出させるシリコンナノワイヤーの製造方法。〔2〕前記高温領域における温度が700°C以上1100°C以下であることを特徴とする請求項1記載の方法。〔3〕前記高温領域よりも温度の低い領域における温度が600°C以上900°C以下であることを特徴とする〔1〕または〔2〕記載の方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
四塩化珪素ガスと不活性ガスとの混合ガスまたは四塩化珪素ガスを、高温領域を通って、前記高温領域よりも温度の低い領域へ流通し、該高温領域にアルミニウムを供給し、前記高温領域よりも温度の低い領域においてシリコンナノワイヤーを析出させることを特徴とするシリコンナノワイヤーの製造方法。
IPC (1)：
C01B 33/02
FI (1)：
C01B33/02 Z
F-Term (14)：
4G072AA01 ,  4G072BB04 ,  4G072DD05 ,  4G072DD06 ,  4G072DD07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH08 ,  4G072LL03 ,  4G072MM21 ,  4G072RR01 ,  4G072RR04 ,  4G072RR11 ,  4G072UU30
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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