Pat

J-GLOBAL ID：200903094215604802

シリコンナノワイヤーの製造法

Inventor： 野田 哲二 ,  胡 全利 ,  施 鷹 ,  鈴木 裕 ,  荒木 弘
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003086558
Publication number (International publication number)：2004296750
Application date： Mar. 26, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】結晶方位が揃いサイズが一定で、かつ直線部分が数mmの切断、組み立てが容易な、シリコンナノワイヤーおよびシリコン・ゲルマニウム合金ナノワイヤーの製造方法を提供する。【解決手段】キャリアーガスの流通下にシリコンまたはシリコン・ゲルマニウム合金をその融点より低い温度で蒸発させ、900°C以上1300°C以下の温度の均熱部においてナノワイヤーを成長させる。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

キャリアーガスの流通下において、シリコンあるいはシリコン・ゲルマニウム合金をその融点よりも低い温度で蒸発させ、キャリアーガスの流通下流域の均熱部において900°C以上1300°C以下の温度範囲でシリコンあるいはシリコン・ゲルマニウム合金のナノワイヤーを成長させることを特徴とするシリコンナノワイヤーの製造方法。

IPC (3)：

H01L29/06 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02

FI (3)：

H01L29/06 601N ,  B82B3/00 ,  C01B33/02 Z

F-Term (9)：

4G072AA01 ,  4G072BB04 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072LL01 ,  4G072LL03 ,  4G072RR11 ,  4G072UU01 ,  4G072UU07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 酸化珪素のナノワイヤの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-342408   Applicant：科学技術振興事業団
• 同位体シリコンナノワイヤーとその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-333257   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, 科学技術振興事業団
• シリコンゲルマニウムナノワイヤーとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-228151   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

Cited by examiner (3)

• 酸化珪素のナノワイヤの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-342408   Applicant：科学技術振興事業団
• 同位体シリコンナノワイヤーとその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-333257   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, 科学技術振興事業団
• シリコンゲルマニウムナノワイヤーとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-228151   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構