シリコンナノワイヤーの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004307618
Publication number (International publication number)：2006117475
Application date： Oct. 22, 2004
Publication date： May. 11, 2006
Summary：

【課題】 300°C以下の温度で結晶性のシリコンナノワイヤーが生成するシリコンナノワイヤーの製造方法を提供すること。【解決手段】シリコンと低融点の共晶合金を作る金属を触媒としてポリシランガスの熱分解によりシリコンナノワイヤーを生成させる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

シリコンと低融点の共晶合金を作る金属を触媒としてポリシランガスの熱分解によりシリコンナノワイヤーを生成させることを特徴とするシリコンナノワイヤーの製造方法。

IPC (1)：

C01B 33/027

FI (1)：

C01B33/027

F-Term (17)：

4G072AA01 , 4G072BB04 , 4G072BB11 , 4G072DD04 , 4G072DD05 , 4G072DD06 , 4G072GG02 , 4G072GG03 , 4G072HH03 , 4G072JJ01 , 4G072KK11 , 4G072MM01 , 4G072NN03 , 4G072NN09 , 4G072RR01 , 4G072RR11 , 4G072UU01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特公昭43-029880
シリコンナノワイヤーの製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-086558 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
シリコンナノニードルの製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-047199 Applicant：科学技術振興事業団

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