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J-GLOBAL ID：200903058562888431

表示装置

Inventor： 河村 哲史 ,  佐藤 健史 ,  波多野 睦子 ,  豊田 善章
Applicant, Patent owner： 株式会社 日立ディスプレイズ
Agent (1)： 小林 保
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007006570
Publication number (International publication number)：2008175842
Application date： Jan. 16, 2007
Publication date： Jul. 31, 2008
Summary：

【課題】画素の開口率の向上を図った表示装置の提供。【解決手段】基板上の画素領域に、透明酸化物層、絶縁膜、導電層が順次積層され、 前記導電層はゲート信号線に接続される薄膜トランジスタのゲート電極を有し、 前記透明酸化物層は少なくとも前記ゲート電極の直下のチャネル領域部を除いた他の領域が導電体化され、この導電体化された部分でソース信号線、このソース信号線に接続される前記薄膜トランジスタのソース領域部、画素電極、この画素電極に接続される前記薄膜トランジスタのドレイン領域部を構成している。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板上の画素領域に、透明酸化物層、絶縁膜、導電層が順次積層され、 前記導電層はゲート信号線に接続される薄膜トランジスタのゲート電極を有し、 前記透明酸化物層は少なくとも前記ゲート電極の直下のチャネル領域部を除いた他の領域が導電体化され、この導電体化された部分でソース信号線、このソース信号線に接続される前記薄膜トランジスタのソース領域部、画素電極、この画素電極に接続される前記薄膜トランジスタのドレイン領域部を構成していることを特徴とする表示装置。

IPC (4)：

G09F 9/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136

FI (5)：

G09F9/30 338 ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612Z ,  G02F1/1368

F-Term (51)：

2H092GA14 ,  2H092HA04 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA32 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JB14 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB24 ,  2H092MA15 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA41 ,  2H092NA07 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092PA01 ,  5C094AA10 ,  5C094AA21 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE07 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK07 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110HM19 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP16 ,  5F110QQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-348260   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (7)

• 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-348260   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-110059   Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男
• トランジスタ及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-000047   Applicant：科学技術振興事業団
• 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-030220   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイおよびその製造 方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-137153   Applicant：日本電気株式会社
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-076762   Applicant：株式会社東芝
• 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-217273   Applicant：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社