薄膜ガスセンサおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005239902
Publication number (International publication number)：2007057254
Application date： Aug. 22, 2005
Publication date： Mar. 08, 2007
Summary：

【目的】長期のパルス駆動においてもPt感知膜電極とSnO2ガス感知膜の間に問題の発生しない薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。【構成】Si基板Bの貫通孔の一端を覆って張られその周縁がSi基板に固定された、酸化ケイ素または/および窒化ケイ素などからなる支持膜L1〜L3(ダイヤフラム構造という)上に、少なくとも、薄膜ヒータHが形成され、これを被覆する絶縁膜L4上に一対のPt感知膜電極Eを有するSnO2ガス感知膜Sが形成されてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記Pt感知膜電極と前記SnO2ガス感知膜の間に、Sn-Ptからなる合金中間層Iを設ける。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Si基板の貫通孔の一端を覆って張られその周縁がSi基板に固定された、酸化ケイ素または/および窒化ケイ素などからなる支持膜(ダイヤフラム構造という)上に、少なくとも、薄膜ヒータが形成され、これを被覆する絶縁膜上に一対のPt感知膜電極を有するSnO2ガス感知膜が形成されてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記Pt感知膜電極と前記SnO2ガス感知膜の間に、Sn-Pt合金からなる中間層を有することを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (1)：

G01N 27/12

FI (3)：

G01N27/12 B , G01N27/12 C , G01N27/12 M

F-Term (24)：

2G046AA11 , 2G046AA19 , 2G046AA21 , 2G046AA24 , 2G046BA01 , 2G046BA06 , 2G046BA09 , 2G046BB02 , 2G046BB04 , 2G046BC05 , 2G046BE03 , 2G046DB04 , 2G046DB05 , 2G046DC09 , 2G046DC13 , 2G046EA02 , 2G046EA04 , 2G046FB02 , 2G046FE03 , 2G046FE29 , 2G046FE31 , 2G046FE38 , 2G046FE39 , 2G046FE41

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

薄膜ガスセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-085481 Applicant：富士電機株式会社
特開昭53-114094
薄膜ガスセンサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-331868 Applicant：富士電機機器制御株式会社

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