薄膜ガスセンサおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003331868
Publication number (International publication number)：2005098798
Application date： Sep. 24, 2003
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：

【課題】金属酸化物半導体層と金属電極層との界面に生じる接触抵抗の低く、ガス検出感度の低下や検出レベルの変動の少ない薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】金属酸化物半導体の薄膜からなり、金属薄膜からなる電極3を備えたガス感応部2が絶縁体薄膜1上に形成されてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記電極3の前記ガス感応部2に隣接する部分(接合層)を前記金属酸化物半導体の成分金属(第1の金属)と他の金属(第2の金属)(薄膜31)との金属間化合物Kからなるようにする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属酸化物半導体の薄膜からなり、金属薄膜からなる電極を備えたガス感応部が絶縁体薄膜上に形成されてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記電極の前記ガス感応部に隣接する部分(接合層)は前記金属酸化物半導体の成分金属(第1の金属)と他の金属(第2の金属)との金属間化合物からなることを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (1)：

G01N27/12

FI (3)：

G01N27/12 B , G01N27/12 C , G01N27/12 M

F-Term (19)：

2G046AA11 , 2G046AA19 , 2G046BA01 , 2G046BA09 , 2G046BB02 , 2G046BB04 , 2G046BC05 , 2G046DC13 , 2G046DD01 , 2G046EA02 , 2G046EA04 , 2G046EA08 , 2G046EA09 , 2G046FB02 , 2G046FE00 , 2G046FE02 , 2G046FE25 , 2G046FE39 , 2G046FE48

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

ガスセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-105840 Applicant：大阪瓦斯株式会社
薄膜ガスセンサー及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-351119 Applicant：株式会社リケン

Cited by examiner (4)

特開昭63-065351
薄膜回路を備えるモジュール、薄膜回路を備えるモジュールの製造方法および薄膜回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-384225 Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
ガス検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-160138 Applicant：株式会社島津製作所

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