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J-GLOBAL ID：200903058599028645
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松山 允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002093358
Publication number (International publication number)：2003298143
Application date： Mar. 28, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：
【要約】【課題】 スピン依存散乱効果を有効的に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。【解決手段】 磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層(4)と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層(6)と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流(I)を通電するために前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極(1、8)と、を備え、前記中間層は、抵抗が相対的に高い領域(9A)と抵抗が相対的に低い領域(9B)とを有する酸化物からなる第1の層(9)を含み、前記センス電流は、前記第1の層を通過する際に前記抵抗が相対的に低い領域を優先的に流れることを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。
Claim (excerpt)：
磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の強磁性体膜を含む磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第2の強磁性体膜を含む磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電するために前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極と、を備え、前記中間層は、抵抗が相対的に高い領域と抵抗が相対的に低い領域とを有する酸化物からなる第1の層を含み、前記センス電流は、前記第1の層を通過する際に前記抵抗が相対的に低い領域を優先的に流れることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (6)：
5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA09
, 5D034BA15
, 5D034CA08
Cited by examiner (3)
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磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド及びメモリー素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-330010
Applicant：松下電器産業株式会社
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CPP構造磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-003460
Applicant：富士通株式会社
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磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-061873
Applicant：ソニー株式会社
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