Pat
J-GLOBAL ID:200903058605889690

ポジ型レジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 酒井 宏明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003290693
Publication number (International publication number):2004070366
Application date: Aug. 08, 2003
Publication date: Mar. 04, 2004
Summary:
【課題】 放射線、特にdeep-UVやKrF、ArFなどのエキシマレーザー光に対する光透過性に優れ、高感度、かつ高解像性で、耐熱性、焦点深度幅特性、引置き経時安定性及びレジスト溶液の保存安定性に優れ、基板依存性がなくプロファイル形状の優れたレジストパターンを形成することのできるポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物に用いて好適なレジスト用酸発生剤を提供する。【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分と、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物とを主成分とし、前記(B)成分として、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタンとビス(2,4-ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタンとの混合物を用いる。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
(A)酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分と、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物とを含むポジ型レジスト組成物において、 前記(B)成分が、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタンとビス(2,4-ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4):
G03F7/039 ,  C08F2/54 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027
FI (4):
G03F7/039 601 ,  C08F2/54 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R
F-Term (21):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA10 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025CC20 ,  4J011PA29 ,  4J011QA09 ,  4J011TA10 ,  4J011UA02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
  • 米国特許4,491,628号公報
  • ポジ型レジスト組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2003-290693   Applicant:東京応化工業株式会社
  • レジスト組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-312670   Applicant:日本ゼオン株式会社
Show all
Cited by examiner (1)
  • ポジ型レジスト組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-191020   Applicant:東京応化工業株式会社

Return to Previous Page