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J-GLOBAL ID：200903058606308373

ITO合金物品の製造法

Inventor： リッペンズ,パウル ,  フロイエン,ルド ,  ブエケンホウト,ルイス
Applicant, Patent owner： イノベイティブ スパッタリング テクノロジー
Agent (1)： 松井 光夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997509856
Publication number (International publication number)：1999511510
Application date： Aug. 29, 1996
Publication date： Oct. 05, 1999
Summary：

【要約】本発明は、少ない割合のSn粉末及び多い割合のIn2O3粉末により開始し、かつプロセス制御剤の存在下に異なる粉末を混合しかつ粉砕することによりIn2O3粉末の表面にSn粉末を実質的に均一に分布させかつ固定して合金粉末を形成する段階、及びその合金粉末を高温で固めて物品を形成する段階を含むポアのない粉末冶金合金物品を製造する方法に関する。該物品は良好な電気伝導率を有し、かつプラズマスパッタリングITO組成物のためのターゲットとして使用し得る。

Claim (excerpt)：

より少ない割合のSn粉末及びより多い割合のIn2O3粉末により開始し、かつ -プロセス制御剤の存在下に異なる粉末を混合しかつ粉砕することによりIn2O3粉末の表面にSn粉末を実質的に均一に分布させかつ固定して合金粉末を形成する段階、及び -その合金粉末を高温で固めて物品を形成する段階を含むポアのない粉末冶金合金物品を製造する方法。

IPC (6)：

B22F 1/02 ,  B22F 5/12 ,  B22F 9/04 ,  C22C 29/12 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34

FI (6)：

B22F 1/02 A ,  B22F 9/04 C ,  C22C 29/12 Z ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A ,  B22F 5/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ITO透明導電膜用スパッタリングターゲットとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-056771   Applicant：旭硝子株式会社
• 回転カソードターゲットの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-339989   Applicant：旭硝子株式会社
• 酸化インジウム-酸化錫スパッタリングターゲットの製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-181850   Applicant：三菱マテリアル株式会社