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J-GLOBAL ID:200903058685467252

HDP-CVDチャンバ用のプラズマソース

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998028509
Publication number (International publication number):1998241898
Application date: Feb. 10, 1998
Publication date: Sep. 11, 1998
Summary:
【要約】【課題】 基板を処理するためのプラズマシステムにおける新規なアンテナコイルを提供すること。【解決手段】 プラズマシステムは、内部にプラズマ処理キャビティ16を画成し且つガス導入口300が中央に配置されたチャンバ本体12と、稼働中に基板の上方に中央部が密なプラズマ密度プロファイルを形成するようプラズマ処理キャビティに対して適宜に構成されたトップアンテナコイル40とを備える。トップアンテナコイル40は、中央ガス導入口を囲む中央通路308を有する。また、稼働中、基板上方に中央部が疎のプラズマ密度プロファイルを生成するよう、サイドアンテナコイル42がプラズマチャンバに対して構成され配置されることが好ましい。トップアンテナコイル40とサイドアンテナコイル42とは、互いに共働して、処理される基板の表面全域にわたり均一なプラズマを形成する。
Claim (excerpt):
処理チャンバ内でプラズマを生成するためのアンテナであって、当該アンテナを貫通する中央通路を画成する中央コイルターンと、前記中央コイルターンの周りに配置された外側コイルターンと、前記中央コイルターン及び前記外側コイルターンの間に延設された複数の導体と、を具備するアンテナ。
IPC (4):
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31
FI (4):
H05H 1/46 L ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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