Pat
J-GLOBAL ID:200903058696739327
透明導電性基板およびその製造方法ならびに光電変換素子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊藤 俊哉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003176099
Publication number (International publication number):2005011737
Application date: Jun. 20, 2003
Publication date: Jan. 13, 2005
Summary:
【課題】200°C以下という低温において、金属酸化物の薄膜を結晶化させて、導電性を付与することができる技術を提供し、透明導電性基板の製造費用の低下、生産性の向上、透明な基材の耐熱性に関する材料選択範囲の拡大による透明導電性基板の性能の拡大に寄与する。【解決手段】透明な基材上に、透明な導電層を形成した透明導電性基板において、基材と導電層との間に下地層を形成し、下地層の導電層に接する部分をジルコニウム酸化物および該酸化物の誘導体から選択された少なくとも一種をを主成分とする、結晶性を有する薄膜として、導電層を形成する、ニオブをドープした酸化チタン等を主成分とする金属酸化物を、結晶性を有する薄膜とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
透明な基材上に、透明な導電層が形成された透明導電性基板において、前記基材と前記導電層との間に透明な下地層が形成され、前記下地層の前記導電層に接する部分が、ジルコニウム酸化物および該酸化物の誘導体から選択された少なくとも一種を主成分とし、結晶性を有することを特徴とする透明導電性基板。
IPC (7):
H01B5/14
, B32B7/02
, B32B9/00
, C23C14/08
, C23C16/40
, H01B13/00
, H01L31/04
FI (7):
H01B5/14 A
, B32B7/02 104
, B32B9/00 A
, C23C14/08 D
, C23C16/40
, H01B13/00 503B
, H01L31/04 M
F-Term (81):
4F100AA21B
, 4F100AA25B
, 4F100AA27C
, 4F100AA28B
, 4F100AA33C
, 4F100AG00A
, 4F100AK01A
, 4F100AK52D
, 4F100AT00A
, 4F100BA03
, 4F100BA05
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10B
, 4F100BA10E
, 4F100EH66
, 4F100GB41
, 4F100JA11B
, 4F100JA11C
, 4F100JG01
, 4F100JG01B
, 4F100JK17
, 4F100JL02
, 4F100JM02B
, 4F100JM02C
, 4F100JN01
, 4F100JN01A
, 4F100JN01B
, 4F100JN01C
, 4K029AA09
, 4K029AA11
, 4K029BA02
, 4K029BA10
, 4K029BA15
, 4K029BA17
, 4K029BA18
, 4K029BA43
, 4K029BA45
, 4K029BA47
, 4K029BA48
, 4K029BA50
, 4K029BB02
, 4K029BB07
, 4K029BC03
, 4K029BC09
, 4K029CA01
, 4K029CA03
, 4K029CA06
, 4K030BA11
, 4K030BA16
, 4K030BA18
, 4K030BA21
, 4K030BA22
, 4K030BA42
, 4K030BA45
, 4K030BA46
, 4K030BA47
, 4K030BB01
, 4K030BB12
, 4K030CA06
, 4K030CA07
, 4K030CA12
, 4K030CA17
, 4K030LA04
, 5F051AA05
, 5F051CA15
, 5F051CB15
, 5F051DA04
, 5F051FA02
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051GA03
, 5F051GA06
, 5F051GA11
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FC06
, 5G307FC10
, 5G323BA02
, 5G323BB05
Patent cited by the Patent: