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J-GLOBAL ID：200903058762483290

光電融合基板および電子機器

Inventor： 岩崎 達哉 ,  田 透
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002134010
Publication number (International publication number)：2003057461
Application date： May. 09, 2002
Publication date： Feb. 26, 2003
Summary：

【要約】【課題】 電磁波干渉ノイズを回避した光電融合基板を提供する。【解決手段】 陽極酸化アルミナ102が形成された基板101上に、電子デバイス103、光デバイス105、電気配線104を配置した光電融合配線基板。陽極酸化アルミナ102が絶縁層としての機能と光デバイス間を光接続する光導波路としての機能を果し、陽極酸化アルミナは絶縁性を有するためにデバイス間の絶縁をとることができ、この上に電気配線を作製することで電気回路を組むことができる。陽極酸化アルミナ上に光デバイスとして発光素子や受光素子を配置し、陽極酸化アルミナ内に光を伝播することで光回路を組むことができる。

Claim (excerpt)：

電子デバイス、光デバイス及び光配線層を有する光電融合基板であって、該光配線層がフォトニック結晶を含み構成されていることを特徴とする光電融合基板。

IPC (4)：

G02B 6/12 ,  G02B 6/122 ,  H01L 27/15 ,  H05K 1/02

FI (7)：

H01L 27/15 C ,  H01L 27/15 D ,  H01L 27/15 S ,  H05K 1/02 T ,  G02B 6/12 Z ,  G02B 6/12 N ,  G02B 6/12 B

F-Term (5)：

2H047KA03 ,  2H047MA07 ,  2H047QA01 ,  5E338CC10 ,  5E338EE60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 光回路デバイス、その製造方法およびそれを用いた多層光回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-038869   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭61-028240
  
• 低損失光及び光電子集積回路
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-516248   Applicant：マサチユセツツ・インスチチユート・オブ・テクノロジー
• ナノ構造体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-093129   Applicant：キヤノン株式会社
• フォトニック結晶とその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-060839   Applicant：日本電信電話株式会社
• アクティブ光コネクタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-147545   Applicant：キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Highly confined waveguides and waveguide bends in three-dimensional photonic crystal