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J-GLOBAL ID：200903058925111035

低抵抗n型半導体ダイヤモンドおよびその製造方法

Inventor： 難波 暁彦 ,  今井 貴浩 ,  竹内 久雄
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (4)： 中野 稔 ,  服部 保次 ,  山口 幹雄 ,  二島 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002379229
Publication number (International publication number)：2004214264
Application date： Dec. 27, 2002
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：

【課題】リチウムをドープしたダイヤモンドに関し、リチウムと窒素をドープした低抵抗n型半導体ダイヤモンド及びその製造方法を提供する。【解決手段】リチウム原子と窒素原子とが共に1017cm-3以上含まれており、リチウム原子が炭素原子の格子間位置に、窒素原子が炭素原子の置換位置に、それぞれドープされ、リチウム原子と窒素原子は互いに隣接している構造を持つ低抵抗n型半導体ダイヤモンド。該低抵抗n型半導体ダイヤモンドを得るためには、ダイヤモンドの気相合成法において、真空紫外光を用いた光励起方法で原料を光分解し、リチウム原料はエキシマレーザーを照射してリチウム原子を飛散させて供給することにより得ることができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

リチウム原子と窒素原子とが共に1017cm-3以上含まれていることを特徴とする低抵抗n型半導体ダイヤモンド。

IPC (3)：

H01L21/22 ,  C23C16/27 ,  C30B29/04

FI (3)：

H01L21/22 E ,  C23C16/27 ,  C30B29/04 K

F-Term (20)：

4G077AA03 ,  4G077AB04 ,  4G077AB06 ,  4G077BA03 ,  4G077DB25 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EB01 ,  4G077HA12 ,  4G077TB08 ,  4G077TC02 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA28 ,  4K030FA02 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• ダイアモンド半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-268391   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平3-205398
  
• 特開平4-175295
  
• n型単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、人工ダイヤモンドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-050106   Applicant：旭化成工業株式会社
• N型ダイアモンド半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-225719   Applicant：新日本無線株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• The search for donors in diamond