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J-GLOBAL ID:200903059013029326
電子ビームスパッタリング装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007125801
Publication number (International publication number):2008280579
Application date: May. 10, 2007
Publication date: Nov. 20, 2008
Summary:
【課題】蒸着(スパッタリング)金属による形成成膜の接着力が強く、形成速度の速い電子ビーム蒸着装置を提供する。【解決手段】プラズマ電子銃から発射される電子ビームパルスは、大きい断面積であってエネルギ密度が低いと言う特徴がある。スパッタリングに利用する場合には面積の大きなターゲットを使用できることと、スパッタ粒子が微細であるという利点がある反面、ターゲットと基板は近接しなければならないと言う制約がある。そこで、基板の周囲にターゲットを配置し、プラズマ電子銃からの電子ビームをターゲットに照射してスパッタ粒子を発生させるとき、基板表面に並行する磁力線を作っておくと、電荷を持つ金属イオンの運動との相互作用(ローレンツの力)により方向が偏向させられ、基板面に誘導されて薄膜が堆積される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
低圧電離気体を収容しプラズマ化する手段とプラズマを維持するソレノイドと、高電圧パルスが印加されて大きい断面積で低エネルギ密度の電子ビームパルスを発射する円板状のカソードとを有するプラズマ電子銃を備え、筒状のターゲットの内面の斜面部を照射して筒の内部に収容した基板上に前記ターゲット金属の薄膜を生成させるスパッタリング装置において、前記基板の表面は前記ターゲットの傾斜面に囲まれ背面に磁石が備えられて表面上に磁力線を走らせる手段が設けられるとともに、前記磁力線が基板表面を旋回する手段を有することを特徴とする電子ビームスパッタリング装置。
IPC (5):
C23C 14/34
, C23C 14/48
, C23C 14/46
, C23C 14/32
, C23C 14/30
FI (7):
C23C14/34 T
, C23C14/48 D
, C23C14/34 C
, C23C14/46 C
, C23C14/46 B
, C23C14/32 Z
, C23C14/30 A
F-Term (12):
4K029BA01
, 4K029CA03
, 4K029CA07
, 4K029CA08
, 4K029DA10
, 4K029DB21
, 4K029DC03
, 4K029DC04
, 4K029DC22
, 4K029DC37
, 4K029DE01
, 4K029DE02
Patent cited by the Patent:
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