トンネル型磁気抵抗効果型素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000216347
Publication number (International publication number)：2002033532
Application date： Jul. 17, 2000
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】従来のトンネル型磁気抵抗効果型素子では、再生波形が不安定化し、また再現性良く磁気素子を製造することができなかった。【解決手段】多層膜21の両側に絶縁層31を形成し、さらにフリー磁性層30の両側端面の少なくとも一部に接するようにバイアス層33を形成する。また前記バイアス層33は多層膜21の上面に延出形成されていない。この構成によって電極層20,34からのセンス電流は適切に多層膜21内を流れ、しかも前記バイアス層33からのバイアス磁界を前記フリー磁性層30の両側端面から供給することができる。さらに前記フリー磁性層30の磁区構造を安定化でき、再生波形の安定性及びバルクハウゼンノイズの低減を図ることができる。

Claim (excerpt)：

反強磁性層と、前記反強磁性層上に接して形成され、前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層上に絶縁障壁層を介して形成されたフリー磁性層とを有する多層膜と、前記多層膜の上下に形成された電極層とを有し、前記多層膜のトラック幅方向の両側には、絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、少なくとも前記フリー磁性層の両側端面の一部に接し、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ揃えるための磁区制御層とが形成され、前記磁区制御層は、前記多層膜の上面に延出形成されていないことを特徴とするトンネル型磁気抵抗効果型素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01F 10/14 , H01L 43/12

FI (4)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/14 , H01L 43/12

F-Term (16)：

5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA11 , 5D034BA12 , 5D034BA15 , 5D034CA04 , 5D034CA08 , 5D034DA07 , 5E049AA01 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5E049BA16 , 5E049CB02 , 5E049CC01 , 5E049DB12 , 5E049GC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

磁気抵抗効果型複合ヘッドおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-335501 Applicant：日本電気株式会社
磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びこれを用いた磁気再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-247058 Applicant：富士通株式会社
スピントンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-120504 Applicant：株式会社日立製作所

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