半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤島洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997035143
Publication number (International publication number)：1998233371
Application date： Feb. 19, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】電極部上に選択メタル技術を用いて形成する金属膜が成長過程および成長後においても半導体基板と接触して半導体基板を構成するシリコンと反応することがなく、安定した電極部を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】スパッタリング法によりシリコン基板11の全面にコバルト(Co)膜20を形成する。コバルト膜20を形成したのち、例えば550°Cのランプアニールを30秒間施すことによりソース領域19a、ドレイン領域19bおよびゲート電極14aそれぞれの領域におけるシリコン(Si)とコバルト(Co)とを反応させる。これによりソース領域19a、ドレイン領域19bおよびゲート電極14aそれぞれの領域上にのみ低抵抗のコバルトシリサイド(CoSi2)膜21a,21b,21cが選択的に形成される。続いて、選択タングステンCVD技術によりコバルトシリサイド膜21a,21b,21c上にのみタングステン(W)膜22a,22b,22cを形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン材料により形成された半導体基板の電極形成予定領域のみに自己整合的に高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、前記高融点金属シリサイド膜上にのみ選択的に金属を成長させることにより金属膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3065 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/28 301 S , H01L 21/302 J , H01L 29/78 301 X

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-323069 Applicant：日本電気株式会社
特開平3-288443
電界効果型半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-191222 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (5)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-171094 Applicant：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-323069 Applicant：日本電気株式会社
特開平3-288443

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