半導体発光装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000324613
Publication number (International publication number)：2002134822
Application date： Oct. 24, 2000
Publication date： May. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】 GaN基板上に窒化物系半導体層を設けた半導体発光素子をマウントし、高効率かつ信頼性の高い装置を形成することができる電極、ハンダ、ヒートシンク等の材質および構造を提供する。【解決手段】 GaN基板7において窒化物系半導体の積層体101、102、103を設けた面とは反対側の面に、Alを含む材料からなり、電極として機能する第1の金属膜10を形成し、その下面にはAu、Niやハンダ等の拡散による電極のオーミック性悪化を防止するためのバリア層として第2の金属膜11を積層し、その下面にはAuやNi等からなる第3の金属膜12を蒸着することでメタライズ化する。そして、InやSb等からなるハンダ13を用いてAu等からなるヒートシンク14に接合する。

Claim (excerpt)：

支持基体と、該支持基体上に積載され、GaN基板上に窒化物系半導体の積層体を設けた半導体発光素子とを有する半導体発光装置であって、該GaN基板における該積層体を設けた面とは反対側の面に、GaN基板とオーミック接合を取ることが可能な材料からなり、N型電極として機能する第1の金属膜と、高融点金属からなり、バリア層として機能する第2の金属膜と、ハンダと混合し易い材料からなる第3の金属膜とを備え、該第3の金属膜と該支持基体との間にハンダを有する半導体発光装置。

IPC (3)：

H01S 5/022 , H01L 33/00 , H01S 5/042 610

FI (4)：

H01S 5/022 , H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01S 5/042 610

F-Term (21)：

5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA82 , 5F041CA85 , 5F041CA86 , 5F041CA87 , 5F041CA92 , 5F041CA98 , 5F041DA32 , 5F073AA61 , 5F073AA74 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073CB23 , 5F073DA30 , 5F073DA34 , 5F073EA28 , 5F073FA14 , 5F073FA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-144502 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-175072 Applicant：昭和電工株式会社
特開昭58-051584

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