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J-GLOBAL ID：200903059169949824

SOI基板の製造方法

Inventor：
大沼 英人

About 大沼 英人


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008184536
Publication number (International publication number)：2009049387
Application date： Jul. 16, 2008
Publication date： Mar. 05, 2009
Summary：
【課題】スループット良くSOI基板を製造できる方法を提供する。【解決手段】支持基板に半導体基板から分離させた半導体層を転置して、SOI基板を製造する。まず、半導体層の基となる半導体基板を準備する。該半導体基板には所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ、一表面上に絶縁層を形成する。半導体基板と支持基板とを、絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合した後、半導体基板にレーザビームを選択的に照射して脆化層の脆化を進行させる。そして、物理的手段又は加熱処理により、脆化層の脆化を進行させた領域を始点として、半導体基板を分離する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
一表面上に絶縁層が形成され、且つ所定の深さの領域に脆化層が形成された半導体基板を準備し、 前記半導体基板と、支持基板と、を、前記絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合し、 前記半導体基板の側面から前記脆化層にレーザビームを選択的に照射した後、 物理的手段により、前記脆化層を境として前記半導体基板の一部を分離させ、前記支持基板上に半導体層を形成することを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (8)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50
FI (6)：
H01L27/12 B ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627D ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A
F-Term (118)：
2H092JA25 ,  2H092JA46 ,  2H092KA03 ,  2H092KA07 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA41 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE31 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ30 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL24 ,  5F110HM04 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F152AA12 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC06 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CE03 ,  5F152CE06 ,  5F152CE08 ,  5F152EE16 ,  5F152FF01 ,  5F152FF21 ,  5F152LM09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP06 ,  5F152LP09 ,  5F152MM04 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NP11 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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