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J-GLOBAL ID：200903059180581332

固体撮像装置の製造方法

Inventor：
滝澤 律夫

About 滝澤 律夫

, 
迫田 元

About 迫田 元


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007098028
Publication number (International publication number)：2008258346
Application date： Apr. 04, 2007
Publication date： Oct. 23, 2008
Summary：
【課題】半導体基板に形成した埋め込みゲッターシンク層について、固体撮像素子を形成する結晶成長層の形成中に混入する汚染不純物をゲッタリングする能力を有効に発揮させることにより暗電流による白傷欠陥を低減することを可能とする。【解決手段】半導体基板11を構成する第1元素(例えばシリコン)と同族で別の第2元素(例えば炭素)を該半導体基板11に導入して埋め込みゲッターシンク層32を形成する工程と、上記半導体基板11の表面に第1元素を結晶成長させて結晶成長層12を形成する工程と、上記結晶成長層12内およびその上層に固体撮像素子を形成する工程とを備え、前記固体撮像素子を形成する工程における酸化工程は、酸化雰囲気が、酸素からなる雰囲気もしくは水素と酸素とからなる雰囲気であることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体基板を構成する第1元素と同族で別の第2元素を該半導体基板に導入して埋め込みゲッターシンク層を形成する工程と、 上記半導体基板の表面に第1元素を結晶成長させて結晶成長層を形成する工程と、 上記結晶成長層内およびその上層に固体撮像素子を形成する工程とを備え、 前記固体撮像素子を形成する工程における酸化工程は、酸化雰囲気が、酸素からなる雰囲気もしくは水素と酸素とからなる雰囲気である ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 27/148 ,  H01L 21/322
FI (3)：
H01L27/14 B ,  H01L21/322 G ,  H01L21/322 J
F-Term (12)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA03 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
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