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J-GLOBAL ID：200903072916033679

半導体基板の製造方法、固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置用の選別方法

Inventor：
滝澤 律夫

About 滝澤 律夫


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (2)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002326140
Publication number (International publication number)：2004165225
Application date： Nov. 08, 2002
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：
【課題】固体撮像装置の製造等の半導体装置の製造に用いられる半導体基板、即ちシリコンエピタキシャル基板の製造において、該基板の金属汚染の除去を可能にする。【解決手段】シリコン基板1に、イオン注入装置のMoの不純物レベルが2.4×109 atoms/cm2 以下である状態でシリコンと同族の元素、好ましくは炭素32をイオン注入して、ゲッタリング用の不純物注入領域34を形成し、前記シリコン基板1の表面にシリコンエピタキシャル層2を形成する工程を有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
シリコン基板に、イオン注入装置のMoの不純物レベルが2.4×109 atoms/cm2 以下である状態でシリコンと同族の元素をイオン注入して、ゲッタリング用の不純物注入領域を形成し、前記シリコン基板の表面にシリコンエピタキシャル層を形成する工程を有する ことを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (5)：
H01L21/322 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148
FI (5)：
H01L21/322 J ,  H01L21/205 ,  H01L27/14 A ,  H01L21/265 Z ,  H01L27/14 B
F-Term (17)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CB14 ,  4M118DA28 ,  4M118EA01 ,  4M118GB11 ,  5F045AA01 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045HA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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